摘要：新兴的非易失性存储器对嵌入式和存储类应用的吸引力与日俱增。后端集成存储器单元的开发挑战包括学习周期长和晶圆成本高。我们提出了一种基于短流程的方法，利用交叉点阵列结构和高度并行的参数测试来鉴定存储器阵列。对设计要求和可测试性的详细分析（包括反向电路仿真）证实了该方法在缩短周转时间和降低开发成本方面的可行性。
关键词新兴存储器、交叉点、存储器阵列、单元特性、参数测试、E-test、电路仿真、MRAM、PCRAM。
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