摘要：100 纳米以下的技术节点面临着更大的晶圆与晶圆之间以及批次与批次之间的差异。300mm 晶圆制造也面临着更大的晶圆内空间趋势。按层监控这些问题并将其与产品良率联系起来，是显著提高良率的关键。目前已开发出一种新型 Characterization Vehicle®（CV®），用于产品晶圆的划片生产线。Scribe CV 测试芯片通过将缺陷敏感测试结构布置在仅在顶层金属层实施的探测垫下的所有层中，实现了缺陷敏感测试结构的高效布置。将所有 Scribe CV 测试芯片放置在产品芯片旁边，每个 300 毫米晶圆可在 10 分钟内完成测试。数据分析揭示了特定层的缺陷密度和故障率、晶圆空间趋势、偏移晶圆等。
关键词电学特性、CV、特性载体、产量、pdFasTest