摘要：为了在不使用 EUV 的情况下实现 7 纳米技术节点，版图设计规则已被大力扩展。因此，在大批量制造 (HVM) 中实现可接受的性能和良率已成为一项极具挑战性的任务。系统良率和参数变异已变得相当显著。此外，由于叠层公差要求和工艺窗口的减少，FEOL 和 BEOL 的软短路/漏电和软开路导致的可靠性风险也增加到了一个临界水平。由于缺陷率增加和局部边缘粗糙度显著增加，在第二波 7 纳米和 5 纳米制程中引入 EUV 不会有太大帮助。有必要采用新的表征技术来识别良率和可靠性风险。在回顾了设计规则的演变并对良率和可靠性风险进行分类后，我们将举例说明 Design-For-Inspection™ (DFI™) 和新颖的 VarScan 方法，以 "检测无法检测 "的缺陷，并对 FEOL 和 BEOL 7 纳米及以下技术的变异性进行表征。
关键词表征、FEOL、BEOL、EUV、7 纳米、HVM、制造、DFI